黑硅光電探測(cè)器詳細(xì)介紹
ElFys 提供一系列高性能黑硅光電二極管。該光電探測(cè)器是通過采用表面納米結(jié)構(gòu)技術(shù)與原子層沉積涂層相結(jié)合，大大提高了光收集效率。
在 200 nm 至 950 nm 范圍內(nèi)具有近乎完美的光響應(yīng)，外量子效率≥ 96%（通過德國(guó)國(guó)家計(jì)量研究院PTB 認(rèn)證）。
此光電探測(cè)器在紫外波段也同樣具有極高的量子效率，比普通的硅光電二極管高出兩倍以上。
黑硅表面與定制的原子層沉積涂層相結(jié)合，極大地提高了感應(yīng)角度范圍內(nèi)的表面吸收率，具有極高吸光度的超寬感應(yīng)角度（> 95% @ 60°）
ElFys 提供SM和PD兩大系列的標(biāo)準(zhǔn)產(chǎn)品，也可以針對(duì)不同應(yīng)用需求進(jìn)行定制。可以靈活地提供光電二極管芯片和完全封裝的光電探測(cè)器解決方案。
SM系列
主要特點(diǎn)：
· 在多波長(zhǎng)下具有出色的光敏性：綠色、紅色和 NIR
· 低暗電流
· 緊湊型 SMD 封裝
典型應(yīng)用：
· 健康監(jiān)測(cè)
· 可穿戴電子產(chǎn)品
PD系列
主要特點(diǎn)：
· 增強(qiáng)的廣譜光敏性：UV、Vis 和 NIR
· 優(yōu)化的電氣特性
· TO-can 封裝最大程度保護(hù)環(huán)境
典型應(yīng)用：
· 高精度測(cè)光
· 分析儀器
· X射線成像
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產(chǎn)品系列 |
型號(hào) |
最大偏置電壓 |
感光面積 |
最大暗電流@ -10 mV |
節(jié)電容@0V,100kHz |
響應(yīng)率@λp |
默認(rèn)封裝 * |
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[V] |
[mm2] |
[pA] |
[pF] |
[A/W] |
λp (nm) |
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SM |
SM322 |
6 |
3.22 |
40 |
60 |
0.71 |
970 |
SMD |
|
SM446 |
6 |
4.46 |
50 |
80 |
0.71 |
970 |
SMD |
|
|
PD |
PD1sM |
10 |
1 |
12 |
20 |
0.80 |
1010 |
TO-46 |
|
PD1sH |
1 |
255 |
11 |
0.81 |
1040 |
TO-46 |
||
|
PD4sM |
20 |
4 |
15 |
65 |
0.80 |
1010 |
TO-46 |
|
|
PD25sM |
25 |
30 |
370 |
0.80 |
1010 |
TO-8 |
||
|
PD25sH |
25 |
700 |
110 |
0.81 |
1040 |
TO-8 |
||
|
PD100sM |
100 |
60 |
1200 |
0.80 |
1010 |
PCB |
||
|
PD100sH |
100 |
1500 |
340 |
0.81 |
1040 |
PCB |
||
|
PD5sMG |
100 |
5 |
15 |
105 |
0.80 |
1010 |
PCB |
|
|
PD5sHG |
5 |
400 |
30 |
0.81 |
1040 |
PCB |
||
|
PD25sMG |
25 |
30 |
370 |
0.80 |
1010 |
PCB |
||
|
PD25sHG |
25 |
700 |
110 |
0.81 |
1040 |
PCB |
||
|
PD100sMG |
100 |
60 |
1200 |
0.80 |
1010 |
PCB |
||
|
PD100sHG |
100 |
1500 |
340 |
0.81 |
1040 |
PCB |
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* 可根據(jù)客戶要求為所有產(chǎn)品提供定制封裝。
ElFys, Inc. 成立于 2017 年秋季，旨在將一組大學(xué)研究人員開創(chuàng)的光電探測(cè)器技術(shù)創(chuàng)新商業(yè)化。公司利用了芬蘭埃斯波Micronova 納米制造中心先進(jìn)的加工設(shè)施。該設(shè)施包含了2600 平方米 的兼容CMOS技術(shù)的設(shè)施，適用于研發(fā)和半批量生產(chǎn)。
EIFys Inc. 由阿爾托大學(xué)的一個(gè)研究團(tuán)隊(duì)組成，是早期把太陽(yáng)能電池新的研究結(jié)結(jié)合到光探測(cè)技術(shù)的公司，由此成功的把黑硅技術(shù)應(yīng)用到光感應(yīng)技術(shù)中。該技術(shù)使得光學(xué)探測(cè)器的性能大幅提升，可以捕到獲每一束光。
公司的合作伙伴在硅光伏和相關(guān)研究方面也擁有豐富的專業(yè)知識(shí)。太陽(yáng)能電池和光電二極管的結(jié)構(gòu)和工作原理非常相似，因此太陽(yáng)能電池的創(chuàng)新通常可以應(yīng)用于光電二極管，反之亦然。表面鈍化和缺陷工程等主題是制造過程的組成部分，正是這些制造過程，幫助我們實(shí)現(xiàn)了光電二極管的卓越響應(yīng)。
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