Newton920系列CCD探測器
- DU920P
- DU920P-Bx-DD
主要特點(diǎn)
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型號 |
DU920P |
DU920P-Bx-DD |
DU940P |
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芯片類型 |
BV：背感光，可見波段優(yōu)化 BU：背感光，紫外增強(qiáng)350nm 優(yōu)化 BU2：背感光，紫外增強(qiáng)250nm 優(yōu)化 BVF：背感光，可見光波段優(yōu)化以及消除近紅外etalon 鍍膜 OE：開放電極 |
BR-DD：背感光深耗盡CCD。帶有消除近紅外波段的etalon 鍍膜 BEX2-DD：背感光深耗盡CCD。帶有消除近紅外波段的etalon 鍍膜以及波段擴(kuò)展雙層抗反射膜 |
FI：前感光CCD UV ：前感光，UV 鍍膜 BV：背感光，可見波段優(yōu)化 BU：背感光，紫外增強(qiáng)350nm 優(yōu)化 BU2：背感光，紫外增強(qiáng)250nm 優(yōu)化 |
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有效像素 |
1024×256 |
2048×512 |
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像元尺寸 |
26μm×26μm |
13.5μm×13.5μm |
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探測面尺寸 |
26.6 mm×6.7 mm |
26.6 mm×6.9 mm |
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最大光譜采集速度 |
273(Full Vertical Binning)、1612(Crop Mode 20 rows) 144(OE,Full Vertical Binning)、1149(OE,Crop Mode 20 rows) |
272(Full Vertical Binning) 1587(Crop Mode 20 rows) |
122 (Full Vertical Bin)， 943 (Crop Mode - 20 rows) |
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線性度 |
>99% |
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最小讀出噪聲 |
<4e- |
＜ 2.5e- |
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暗電流 |
FI, OE, UV：0.0003 e- /pixel/sec @-100℃ BU, BU2,：0.0003 e- /pixel/sec @-100℃ BV, UVB：0.0003 e- /pixel/sec @-100℃ BVF：0.0002@-100℃ |
Bx-DD：0.003 e- /pixel/sec @-100℃ |
FI, OE, UV：0.0001 e-/pixel/sec @-100℃ BU, BU2, BV, UVB：0.0002 e-/pixel/sec @-100℃ |
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最低制冷溫度 |
-100℃ |
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光窗類型 |
單石英窗口，無鍍膜，防反射鍍膜或MgF2 可選 |
BR-DD：單石英窗口, 防反射鍍膜（900nm 優(yōu)化） BEX2-DD：單石英窗口，無鍍膜 |
單石英窗口，無鍍膜，防反射鍍膜或MgF2 可選 |
13810233784
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